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| Artikel-Nr.:
822EL-1628966 Herst.-Nr.:
MVGSF1N03LT1G EAN/GTIN:
5059042418811 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 145 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Verlustleistung max. = 690 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.01mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 145 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Verlustleistung max.: | 690 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, 1628966, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, MVGSF1N03LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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