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| Artikel-Nr.: 822EL-1630802 Herst.-Nr.: NVF3055L108T1G EAN/GTIN: 5059042428957 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 120 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Verlustleistung max. = 2,1 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -15 V, +15 V Breite = 3.7mm Höhe = 1.65mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 120 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -15 V, +15 V | Breite: | 3.7mm | Höhe: | 1.65mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 1630802, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVF3055L108T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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