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| Artikel-Nr.:
822EL-1630841 Herst.-Nr.:
2N7002WT1G EAN/GTIN:
5059042744330 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 340 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Verlustleistung max. = 330 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 0,7 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 340 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,5 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 330 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 0,7 nC @ 4,5 V | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1630841, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, 2N7002WT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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