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| Artikel-Nr.:
822EL-1632299 Herst.-Nr.:
NTD6415ANLT4G EAN/GTIN:
5059042189605 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 56 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 83 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.22mm
Höhe = 2.38mm
N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 23 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 56 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 83 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.38mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1632299, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTD6415ANLT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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