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| Artikel-Nr.:
822EL-1632300 Herst.-Nr.:
NTF3055-100T1G EAN/GTIN:
5059042463873 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 2,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 1.65mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 110 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 2,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 1.65mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 1632300, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTF3055100T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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