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| Artikel-Nr.:
822EL-1632500 Herst.-Nr.:
MJD350T4G EAN/GTIN:
5059042447736 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –300 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,56 W
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 300 V
Basis-Emitter Spannung max. = 3 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 2.38 x 6.73 x 6.22mm
Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –300 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,56 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 300 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 3 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 2.38 x 6.73 x 6.22mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1632500, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD350T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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