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| Artikel-Nr.:
822EL-1656495 Herst.-Nr.:
STN3N45K3 EAN/GTIN:
5059042381825 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 600 mA
Drain-Source-Spannung max. = 450 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 1.8mm
N-Kanal MDmesh™ K3-Serie, SuperMESH3™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 600 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 450 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,8 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 1.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1656495, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STN3N45K3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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