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| Artikel-Nr.: 822EL-1657688 Herst.-Nr.: BCM856SH6327XTSA1 EAN/GTIN: 5059043237909 |
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| Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -65 V Gehäusegröße = SOT-363 (SC-88) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 250 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-Konfiguration = Isoliert Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Arbeitsfrequenz max. = 250 MHz Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Betriebstemperatur max. = +150 °C
Bipolare abgestimmte Doppeltransistoren, Infineon Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | -65 V | Gehäusegröße: | SOT-363 (SC-88) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 250 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 250 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor Array, smd-transistor pnp, smd transistor, transistor infineon, 1657688, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Infineon, BCM856SH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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