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Nexperia PBSS9110T,215 SMD, PNP Transistor –100 V / -1 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin


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Nexperia PBSS9110T,215 SMD, PNP Transistor –100 V / -1 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin
Nexperia PBSS9110T,215 SMD, PNP Transistor –100 V / -1 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin
Artikel-Nr.:
     822EL-1660432
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PBSS9110T,215
EAN/GTIN:
     5059043317458
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor pnp
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V
Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 480 mW
Gleichstromverstärkung min. = 150
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 120 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 1 x 3 x 1.4mm

PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
PNP
DC Kollektorstrom max.:
-1 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
–100 V
Gehäusegröße:
SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ:
SMD
Verlustleistung max.:
480 mW
Gleichstromverstärkung min.:
150
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:
120 V
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V
Arbeitsfrequenz max.:
100 MHz
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Abmessungen:
1 x 3 x 1.4mm
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor sot-23, 1660432, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS9110T,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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