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| Artikel-Nr.:
822EL-1660617 Herst.-Nr.:
PBSS3515VS,115 EAN/GTIN:
5059043335926 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –15 V
Gehäusegröße = SSMini
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 200 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 15 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 280 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 0.6 x 1.7 x 1.3mm
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –15 V | Gehäusegröße: | SSMini | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 200 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 15 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 280 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 0.6 x 1.7 x 1.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, 1660617, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS3515VS,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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