|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1660980 Herst.-Nr.:
BSS816NWH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043060231 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 0.8mm
Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2. Die Infineon -OptiMOS™-2 -N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2 -Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 240 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.75V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.3V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 0.8mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1660980, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS816NWH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |