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| Artikel-Nr.:
822EL-1661833 Herst.-Nr.:
FDN359AN EAN/GTIN:
5059042271140 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 0.94mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 75 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 0.94mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1661833, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDN359AN, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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