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onsemi RFD14N05LSM9A N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


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onsemi RFD14N05LSM9A N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Artikel-Nr.:
     822EL-1662655
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     RFD14N05LSM9A
EAN/GTIN:
     5059042238716
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Breite = 6.22mm
Höhe = 2.39mm

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
14 A
Drain-Source-Spannung max.:
50 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
100 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
48 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-10 V, +10 V
Breite:
6.22mm
Höhe:
2.39mm
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1662655, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, RFD14N05LSM9A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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