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onsemi PowerTrench FDG8850NZ N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 750 mA 360 mW, 6-Pin SOT-363


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onsemi PowerTrench FDG8850NZ N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 750 mA 360 mW, 6-Pin SOT-363
Artikel-Nr.:
     822EL-1662658
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDG8850NZ
EAN/GTIN:
     5059042238341
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 750 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.65V
Verlustleistung max. = 360 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 1.25mm
Höhe = 1mm

Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen. Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
750 mA
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOT-363
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
6
Drain-Source-Widerstand max.:
400 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
0.65V
Verlustleistung max.:
360 mW
Transistor-Konfiguration:
Isoliert
Gate-Source Spannung max.:
-12 V, +12 V
Breite:
1.25mm
Höhe:
1mm
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1662658, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDG8850NZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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