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| Artikel-Nr.:
822EL-1662712 Herst.-Nr.:
FDME1023PZT EAN/GTIN:
5059042527179 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = MicroFET dünn
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 530 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 1,4 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Breite = 1.6mm
Höhe = 0.5mm
Zweifach-P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt. Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration. Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | MicroFET dünn | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 530 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 1,4 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Breite: | 1.6mm | Höhe: | 0.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1662712, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDME1023PZT, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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