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onsemi 2N7002KW N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23


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onsemi 2N7002KW N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     822EL-1662856
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     2N7002KW
EAN/GTIN:
     5059042243581
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 300 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
300 mA
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
4,8 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1.1V
Verlustleistung max.:
350 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1662856, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, 2N7002KW, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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