ROHM RHP020N06T100 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A 500 mW, 3-Pin SOT-89

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-89
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 340 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 2.7mm
Höhe = 1.6mm

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.4-V-AntriebstypP-Kanal-Mittel-Leistungs-MOSFETSchnelle SchaltgeschwindigkeitKleines SMD-GehäuseBleifreiAnwendungen:Tragbares DatenterminalMünzverarbeitungsmaschinenDigitales Multimeter: handlicher TypMotorsteuerung: bürstenlose GleichstrommotorenSpeicherprogrammierbare SteuerungAC-ServoNetwork Attached StorageDVR/DVSMotorsteuerung: SchrittmotorMotorsteuerung: Gleichstrommotoren mit BürstenPOS (Point-of-Sales-System)ElektrofahrräderEingebetteter PCIntelligenter ZählerÜberwachungskameraRöntgeninspektionsmaschine für SicherheitÜberwachungskamera für NetzwerkSprechanlage/BabymonitorMaschinelle Kamera für industrielle AnwendungenGerät zur Authentifizierung per FingerabdruckMassefehler-SchutzschalterDigitales Multimeter: TischtypAnzeige für EMSSolar-Wechselrichter