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| Artikel-Nr.:
822EL-1684759 Herst.-Nr.:
IXFN80N60P3 EAN/GTIN:
5059041336079 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 66 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 960 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 66 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 70 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 960 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 9.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1684759, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN80N60P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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| | Lagerstand | Mind.-Menge | | Versand | | | | | | | | | | | | | | Lager 822 | | | | 10 | | Frei Haus | ab € 22,88* | € 28,70* | | | | | | | | | 1 | | € 7,90* | ab € 24,25* | € 35,95* | | | | | 3 Tage | | | 1 | | € 5,95* | ab € 27,46* | € 38,26* | | | | | | | | | | | | | | | | | Preise: Lager 822 | | Bestellmenge | Netto | Brutto | Einheit | | | | | | | | | | | | | | | | | | Bestellungen nur in Vielfachen von 10 Stück | Mindestbestellmenge: 10 Stück ( entspricht € 287,00* zzgl. MwSt. ) |
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