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| Artikel-Nr.:
822EL-1685899 Herst.-Nr.:
STW35N60DM2 EAN/GTIN:
5059042346381 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 28 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 210 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 5.15mm
Höhe = 20.15mm
N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics. Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert. Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit AEC-Q101-qualifiziert Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 28 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 110 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 210 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Breite: | 5.15mm | Höhe: | 20.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1685899, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STW35N60DM2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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