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| Artikel-Nr.:
822EL-1685946 Herst.-Nr.:
IRF100B202 EAN/GTIN:
5059043391564 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 97 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 221 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 10.67mm
Höhe = 16.51mm
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon. Die Infineon- StrongIRFET -Familie ist optimiert für geringe R ;sub>DS ;/sub>(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 97 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,6 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 221 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 10.67mm | Höhe: | 16.51mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, to-220 mosfet, 1685946, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF100B202, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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