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STMicroelectronics STripFET H7 STF100N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 45 A 30 W, 3-Pin TO-220FP


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STMicroelectronics STripFET H7 STF100N10F7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 45 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
Artikel-Nr.:
     822EL-1686982
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STF100N10F7
EAN/GTIN:
     5059042330991
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = STripFET H7

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
45 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
TO-220FP
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
8 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
30 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Serie:
STripFET H7
Weitere Suchbegriffe: 1686982, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STF100N10F7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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