|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1687110 Herst.-Nr.:
STL30N10F7 EAN/GTIN:
5059042336085 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PowerFLAT 5 x 6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 35 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 14 nC @ 10 V
Höhe = 0.95mm
N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PowerFLAT 5 x 6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 35 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 14 nC @ 10 V | Höhe: | 0.95mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 1687110, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STL30N10F7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |