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| Artikel-Nr.:
822EL-1687503 Herst.-Nr.:
STP28NM50N EAN/GTIN:
5059042327885 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 158 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 4.6mm
Höhe = 15.75mm
N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 21 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 158 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Breite: | 4.6mm | Höhe: | 15.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 1687503, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP28NM50N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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