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| Artikel-Nr.: 822EL-1687791 Herst.-Nr.: TK10J80E EAN/GTIN: 5059041196949 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-3PN Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Verlustleistung max. = 250 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 20mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-3PN | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 250 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 20mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 1687791, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK10J80E, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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