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| Artikel-Nr.:
822EL-1687993 Herst.-Nr.:
TK72A12N1,S4X(S EAN/GTIN:
5059041318723 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 72 A
Drain-Source-Spannung max. = 120 V
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 45 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.5mm
Höhe = 15mm
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 72 A | Drain-Source-Spannung max.: | 120 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,5 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 45 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.5mm | Höhe: | 15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1687993, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK72A12N1,S4X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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