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STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA HFE:1000 @ 350 mA @ 2 V, PDIP 18-Pin Single & Common Emitter


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STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA HFE:1000 @ 350 mA @ 2 V, PDIP 18-Pin Single & Common Emitter
Artikel-Nr.:
     822EL-1688906
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     ULQ2803A
EAN/GTIN:
     5059042339963
Suchbegriffe:
4000 CMOS
Darlingtontransistor
Schalttransistor
Transistor
Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Basis-Emitter Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 18
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip = 8
Gleichstromverstärkung min. = 1000 @ 350 mA @ 2 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,6 V
Betriebstemperatur max. = +85 °C

Darlington-Transistorarrays, STMicroelectronics. Leistungstreiber mit Darlington-Transistor sind Hochspannungs-Hochstromschalter-Arrays mit mehreren Darlington-Paaren mit offenem Kollektor und integrierten Unterdrückungsdioden für induktive Lasten. Der Hochstrom-Nennwert für jeden Ausgang beträgt 500 mA oder mehr. Die Eingänge sind im IC-Gehäuse den Ausgängen gegenüber angeschlossen, um die Anwendung im Platinen-Layout zu vereinfachen. Die Schnittstelle ist TTL mit Standard-Logikpegel oder CMOS.
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.:
500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung:
50 V
Basis-Emitter Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
PDIP
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
18
Transistor-Konfiguration:
Single & Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip:
8
Gleichstromverstärkung min.:
1000 @ 350 mA @ 2 V
Kollektor-Basis-Spannung max.:
30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.:
1,6 V
Betriebstemperatur max.:
+85 °C
Weitere Suchbegriffe: Transistor Array, stmicroelectronics transistor, 4000 cmos, 1688906, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, STMicroelectronics, ULQ2803A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs
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