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| Artikel-Nr.:
822EL-1688937 Herst.-Nr.:
STF12N60M2 EAN/GTIN:
5059042339864 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 4.6mm
Höhe = 16.4mm
N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics. Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler). Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 450 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Breite: | 4.6mm | Höhe: | 16.4mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1688937, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STF12N60M2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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