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International Rectifier IRF7424PbF IRF7424TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SO-8


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1702272
Hersteller:
     International Rectifier
Herst.-Nr.:
     IRF7424TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043769462
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 1.5mm

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
11 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SO-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
22 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
2,5 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Höhe:
1.5mm
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 11a, 1702272, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, International Rectifier, IRF7424TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Infineon
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