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| Artikel-Nr.:
822EL-1707995 Herst.-Nr.:
PDTC114ET,235 EAN/GTIN:
5059043816401 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = TO-236
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 250 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 10 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Widerstandsverhältnis = 1
Widerstandbestückte NPN-Transistor-(Resistor-Equipped Transistor, RET)-Familie in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 100 mAIntegrierte VorwiderständeVereinfacht den SchaltungsaufbauVerringert die Anzahl an BauelementenVerringert die BestückungskostenZielanwendungsbereicheDigitale Anwendungen im Automobilbau und in industriellen BereichenSteuerung von IC-EingängenKostengünstige Alternative zur Serie BC847/857 in digitalen AnwendungenSchalten von Lasten Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | TO-236 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 250 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 10 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Widerstandsverhältnis: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1707995, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PDTC114ET,235, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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