|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1708018 Herst.-Nr.:
PUMD2,125 EAN/GTIN:
5059043764177 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Zwei Sockel
Basis-Emitter Spannung max. = 10 V
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Widerstandsverhältnis = 1
Doppelwiderstandsbestückte NPN/PNP-Transistoren (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 100 mAIntegrierte VorwiderständeVereinfacht den SchaltungsaufbauVerringert die Anzahl an BauelementenVerringert die BestückungskostenZielanwendungsbereichePeripherie-Treiber mit niedriger StromaufnahmeSteuerung von IC-EingängenErsetzt Universaltransistoren in digitalen Anwendungen Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Zwei Sockel | Basis-Emitter Spannung max.: | 10 V | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Widerstandsverhältnis: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, 1708018, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PUMD2,125, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |