|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1711902 Herst.-Nr.:
IRF1407PBF EAN/GTIN:
5059043767420 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 130 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 330 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = IRF1407PbF
Der Infineon IRF1407 ist der 75-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse. Dieses planare Streifendesign von HEXFET-Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.Planare Zellstruktur für eine breite SOA Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 130 A | Drain-Source-Spannung max.: | 75 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,8 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 330 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Serie: | IRF1407PbF |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 130 a, 1711902, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF1407PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |