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| Artikel-Nr.:
822EL-1711937 Herst.-Nr.:
IPD053N08N3GATMA1 EAN/GTIN:
5059043769875 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TO-252
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 2.41mm
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V. optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS Optimierte Technik für DC/DC-Wandler Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen N-Kanal, Logikebene Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM) Sehr geringer Widerstand R DS(ON) Pb-frei Beschichtung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 90 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | TO-252 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9,5 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 2.41mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1711937, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD053N08N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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