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| Artikel-Nr.:
822EL-1711955 Herst.-Nr.:
IPB020N10N5ATMA1 EAN/GTIN:
5059043768939 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 176 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO 263
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.2V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 168 nC @ 10 V
Serie = IPB020N10N5
Der Infineon IPB020N10N5 ist ein OptiMOS 5 100-V-Leistungs-MOSFET in D2PAK-Gehäuse mit 22 % niedrigerem RDS(on). Es wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken entwickelt, einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterie sowie für Servernetzteilanwendungen.Optimiert für synchrone Gleichrichtung Ideal für hohe Schaltfrequenzen Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 % Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 176 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO 263 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,5 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.2V | Verlustleistung max.: | 375 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 168 nC @ 10 V | Serie: | IPB020N10N5 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1711955, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB020N10N5ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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