Infineon IPT015N10N5 IPT015N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 300 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HSOF-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.2V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = IPT015N10N5

Infineon MOSFETDer Infineon HSOF-8 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 1,5 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 300 A. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 375 W. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.Eigenschaften und Vorteile• 100 % Lawinengeprüft • Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS-Produkt (ein) (FOM) • Halogenfrei • Höchste Systemeffizienz • Ideal für hohe Schaltfrequenz • Erhöhte Leistungsdichte • bleifreie (Pb) Beschichtung • Niederspannungs-/Überschwingen • Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C. • Optimiert für synchrone Gleichrichtung • Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 % • RDS-Reduzierung (ein) von bis zu 44 % • Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS (ein)Anwendungen• Adapter • Leichte Elektrofahrzeuge • Niederspannungsantriebe • Servernetzteile • Solar • TelekommunikationZertifizierungen• ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007 • IEC61249-2-21 • JEDEC