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| Artikel-Nr.:
822EL-1712390 Herst.-Nr.:
TPN2R304PL EAN/GTIN:
5059041783873 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.4V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 3.1mm
Höhe = 0.85mm
Hocheffiziente DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerMotortreiberHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 10,8 nC (typ.)Geringe Ausgangsladung: Qoss = 27 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 1,8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)Verbesserungsmodus: Vth = 1,4 bis 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | TSON | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.4V | Verlustleistung max.: | 104 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 3.1mm | Höhe: | 0.85mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 1712390, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPN2R304PL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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