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| Artikel-Nr.:
822EL-1712399 Herst.-Nr.:
SSM3K333R EAN/GTIN:
5059041272520 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 42 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.8mm
4,5-V-Ansteuerung Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: RDS(ON) = 42 mΩ (max.) (@VGS = 4,5 V) RDS(ON) = 28 Ω (max.) (@ VGS = 10 V) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 42 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1712399, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, SSM3K333R, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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