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| Artikel-Nr.:
822EL-1712404 Herst.-Nr.:
SSM3K37MFV,L3F(B EAN/GTIN:
5059041785983 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 250 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-723
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.35V
Verlustleistung max. = 150 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±10 V
Breite = 1.2mm
Höhe = 0.5mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 250 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-723 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,6 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.35V | Verlustleistung max.: | 150 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±10 V | Breite: | 1.2mm | Höhe: | 0.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1712404, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, SSM3K37MFV,L3F(B, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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