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| Artikel-Nr.:
822EL-1712411 Herst.-Nr.:
T2N7002BK EAN/GTIN:
5059041781435 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 400 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,75 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 1 W
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.9mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 400 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,75 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 1 W | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1712411, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, T2N7002BK, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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