|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1712414 Herst.-Nr.:
TJ60S04M3L EAN/GTIN:
5059041322607 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 90 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +10 V
Breite = 7mm
Höhe = 2.3mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9,4 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 90 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +10 V | Breite: | 7mm | Höhe: | 2.3mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1712414, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TJ60S04M3L, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |