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| Artikel-Nr.:
822EL-1712421 Herst.-Nr.:
TK31V60W5 EAN/GTIN:
5059041786591 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 109 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 240 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 105 nC @ 10 V
Höhe = 0.85mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 109 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 240 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 105 nC @ 10 V | Höhe: | 0.85mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 1712421, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK31V60W5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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