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| Artikel-Nr.:
822EL-1712422 Herst.-Nr.:
TK33S10N1Z EAN/GTIN:
5059041787086 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 33 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 7mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 33 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9,7 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 7mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1712422, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK33S10N1Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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