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| Artikel-Nr.:
822EL-1712475 Herst.-Nr.:
TK55S10N1 EAN/GTIN:
5059041786553 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 55 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 157 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 7mm
Höhe = 2.3mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 55 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6,5 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 157 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 7mm | Höhe: | 2.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1712475, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK55S10N1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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