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| Artikel-Nr.:
822EL-1712510 Herst.-Nr.:
SSM6N35FE EAN/GTIN:
5059041520256 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 180 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 20 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 150 mW
Gate-Source Spannung max. = ±10 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2mm
Höhe = 0.55mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 180 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-563 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 20 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gate-Source Spannung max.: | ±10 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2mm | Höhe: | 0.55mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1712510, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, SSM6N35FE, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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