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| Artikel-Nr.: 822EL-1723419 Herst.-Nr.: FCB199N65S3 EAN/GTIN: 5059042524864 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 199 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Verlustleistung max. = 98 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±30 V Breite = 9.65mm Höhe = 4.83mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 14 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 199 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 98 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 9.65mm | Höhe: | 4.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1723419, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FCB199N65S3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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