Microchip 2N6661 2N6661 N-Kanal, THT MOSFET 90 V / 350 mA 6,25 W, 3-Pin TO-39

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 350 mA
Drain-Source-Spannung max. = 90 V
Gehäusegröße = TO-39
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 6,25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 9.398 Dia.mm
Höhe = 6.6mm

Der 2N6661 ist ein (normally off) Transistor als Anreicherungstyp, der eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedrige Anforderung an die Stromversorgung Einfacher Parallelbetrieb Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten Ausgezeichnete Temperaturstabilität Integrierte Source-Drain-Diode Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung