Microchip VN10K VN10KN3-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 310 mA 1 W, 3-Pin TO-92

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 310 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 30 V
Breite = 4.06mm
Höhe = 5.33mm

Microchip Technology MOSFETDer durchkontaktierte N-Kanal-MOSFET von Microchip Technology ist ein neues Produkt mit einem Abflussquellen-Widerstand von 5 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine Drain-Source-Spannung von 60 V und eine maximale Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 310 mA und eine maximale Verlustleistung von 1 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 5 V bzw. 10 V. Der MOSFET ist ein (normalerweise aus) Erweiterungstransistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Dieses Gerät ist ein wichtiges Merkmal aller MOS-Strukturen und ist frei von thermischem Durchlaufen und thermisch induzierter sekundärer Zersetzung. Dieser vertikale DMOS-FET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.Eigenschaften und Vorteile• Einfache Parallelschaltung • Ausgezeichnete Temperaturstabilität • frei von sekundärem Ausfall • Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung • Integrierte Source-Drain-Diode • Niedriger CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten • Geringe Anforderungen an das Laufwerk • Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.Anwendungen• Verstärker • Konverter • Treiber (Relais, Hämmer, Magnete, Lampen, Speicher, Anzeigen, bipolare Transistoren usw.) • Motorsteuerungen • Stromversorgungskreise • SchalterZertifizierungen• ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007 • JEDEC