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| Artikel-Nr.:
822EL-1784695 Herst.-Nr.:
MMBTA13LT3G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 300 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 30 V
Basis-Emitter Spannung max. = 10 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Gleichstromverstärkung min. = 5000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,5 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 100nA
Verlustleistung max. = 300 mW
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 300 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 30 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 10 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Gleichstromverstärkung min.: | 5000 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,5 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 30 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,5 V | Kollektor-Abschaltstrom max.: | 100nA | Verlustleistung max.: | 300 mW |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1784695, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, MMBTA13LT3G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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