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| Artikel-Nr.: 822EL-1784775 Herst.-Nr.: 2N6491G EAN/GTIN: k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –15 A Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 75 W Gleichstromverstärkung min. = 20 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 90 V Gleichstrom Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. PNP-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –15 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –80 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 75 W | Gleichstromverstärkung min.: | 20 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 90 V Gleichstrom | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 1784775, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, 2N6491G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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