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| Artikel-Nr.:
822EL-1785832 Herst.-Nr.:
EMX26T2R EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 150 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 mW
Gleichstromverstärkung min. = 820
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V
Basis-Emitter Spannung max. = 12 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Geräte mit zwei Transistoren sind in ultrakompakten Gehäusen erhältlich und eignen sich für verschiedene Anwendungen, wie z. B. Differenzverstärkerschaltungen für Vorverstärker, Hochfrequenzoszillatoren, Treiber-ICs usw.Ultra-kompakter komplexer Bipolar-Transistor Für Vorverstärker Kleines SMD-Gehäuse Bleifrei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 150 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-563 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 820 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 12 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, 1785832, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, ROHM, EMX26T2R, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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