Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
822EL-1787486 Herst.-Nr.:
BSC600N25NS3GATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = TDSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 22 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | TDSON | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 60 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 22 nC @ 10 V | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 1787486, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC600N25NS3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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